Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 95 A 100 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, SiDR170DP Nej SiDR170DP-T1-RE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 120,65

(ekskl. moms)

Kr. 150,80

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 545 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 24,13Kr. 120,65
50 - 120Kr. 21,992Kr. 109,96
125 - 245Kr. 17,16Kr. 85,80
250 - 495Kr. 14,466Kr. 72,33
500 +Kr. 12,82Kr. 64,10

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
210-4955
Producentens varenummer:
SiDR170DP-T1-RE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

95A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SO-8

Serie

SiDR170DP

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

93nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

0.51mm

Bredde

4.9 mm

Længde

5.9mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay N-kanal 100 V (D-S) MOSFET har PowerPAK SO-8DC hustype.

TrenchFET Gen IV Power MOSFET

Meget lav RDS x QG figure-of-Merit (FOM)

Indstillet til den laveste RDS x Qoss FOM

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links