DiodesZetex 1 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 460 mA 50 V Forbedring, 3 Ben, US, DMN53D0LDWQ AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 213-9191
- Producentens varenummer:
- DMN53D0LDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 50 enheder)*
Kr. 105,85
(ekskl. moms)
Kr. 132,30
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 5.950 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 2,117 | Kr. 105,85 |
| 100 - 200 | Kr. 1,852 | Kr. 92,60 |
| 250 - 450 | Kr. 1,815 | Kr. 90,75 |
| 500 - 950 | Kr. 1,646 | Kr. 82,30 |
| 1000 + | Kr. 1,483 | Kr. 74,15 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 213-9191
- Producentens varenummer:
- DMN53D0LDWQ-7
- Brand:
- DiodesZetex
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | DiodesZetex | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 460mA | |
| Drain source spænding maks. Vds | 50V | |
| Emballagetype | US | |
| Serie | DMN53D0LDWQ | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0016Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 0.6nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 310W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.8V | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Længde | 2.15mm | |
| Standarder/godkendelser | J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | |
| Højde | 0.95mm | |
| Antal elementer per chip | 1 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand DiodesZetex | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 460mA | ||
Drain source spænding maks. Vds 50V | ||
Emballagetype US | ||
Serie DMN53D0LDWQ | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0016Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 0.6nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 310W | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.8V | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Længde 2.15mm | ||
Standarder/godkendelser J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101 | ||
Højde 0.95mm | ||
Antal elementer per chip 1 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMN53D0LDWQ serien er dobbelt N-kanal MOSFET er designet til at opfylde de strenge krav til anvendelse i biler.
Lav indgangskapacitet
Hurtig koblingshastighed
Relaterede links
- DiodesZetex N-Kanal 460 mA 50 V SOT-363, DMN53D0LDWQ DMN53D0LDWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 360 mA 50 V SOT-363 DMN53D0LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 100 mA 50 V SOT-363 DDC143ZU-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 200 mA 50 V SOT-363 BSS138DW-7-F
- DiodesZetex N-Kanal 260 mA 30 V SOT-363 DMN63D8LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 318 mA 60 V SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- DiodesZetex N-Kanal 200 mA 60 V SOT-363 DMN65D8LDW-7
- DiodesZetex N-Kanal 800 mA 20 V SOT-363 DMN2710UDW-7
