Infineon Type P-Kanal, MOSFET og Diode, 5.6 A 20 V Forbedring, 2 Ben, TO-263, HEXFET Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 3.078,00

(ekskl. moms)

Kr. 3.846,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 12.000 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 - 3000Kr. 1,026Kr. 3.078,00
6000 - 6000Kr. 0,975Kr. 2.925,00
9000 +Kr. 0,937Kr. 2.811,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
220-7500
Producentens varenummer:
IRLMS6802TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

50mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bredde

1 mm

Højde

3mm

Længde

3mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon P-kanal MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced processing Techniques for at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium område. Denne fordel giver designeren en ekstremt effektiv enhed til anvendelse batteri- og belastningshåndteringsanvendelser. Micro6-pakken med dens tilpassede ledningsramme producerer en HEXFET ® power MOSFET med RDS(on) 60 % mindre end en tilsvarende størrelse SOT-23. Denne pakke er velegnet til anvendelser, hvor printkortpladsen er begrænset. Det unikke termiske design og RDS(on) reduktion muliggør en strømhåndtering på næsten 300 % sammenlignet med SOT-23.

Ekstremt lav modstand ved tændt

P-kanal MOSFET

Overflademontering

Fås i tape og rulle

Blyfri

Relaterede links