Infineon Type P-Kanal, MOSFET og Diode, 5.6 A 20 V Forbedring, 2 Ben, TO-263, HEXFET Nej IRLMS6802TRPBF

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 50 enheder)*

Kr. 127,45

(ekskl. moms)

Kr. 159,30

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 14.550 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
50 +Kr. 2,549Kr. 127,45

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
220-7501
Producentens varenummer:
IRLMS6802TRPBF
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET og Diode

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5.6A

Drain source spænding maks. Vds

20V

Serie

HEXFET

Emballagetype

TO-263

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

50mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

2W

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

1 mm

Længde

3mm

Højde

3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Infineon P-kanal MOSFET'er fra International Rectifier anvender Advanced processing Techniques for at opnå ekstremt lav modstand pr. silicium område. Denne fordel giver designeren en ekstremt effektiv enhed til anvendelse batteri- og belastningshåndteringsanvendelser. Micro6-pakken med dens tilpassede ledningsramme producerer en HEXFET ® power MOSFET med RDS(on) 60 % mindre end en tilsvarende størrelse SOT-23. Denne pakke er velegnet til anvendelser, hvor printkortpladsen er begrænset. Det unikke termiske design og RDS(on) reduktion muliggør en strømhåndtering på næsten 300 % sammenlignet med SOT-23.

Ekstremt lav modstand ved tændt

P-kanal MOSFET

Overflademontering

Fås i tape og rulle

Blyfri

Relaterede links