Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 21 A 850 V Forbedring, 3 Ben, TO-247, E Nej SIHG24N80AE-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 65,67

(ekskl. moms)

Kr. 82,088

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 478 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 32,835Kr. 65,67
20 - 48Kr. 31,19Kr. 62,38
50 - 98Kr. 29,545Kr. 59,09
100 - 198Kr. 27,90Kr. 55,80
200 +Kr. 21,32Kr. 42,64

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2870
Producentens varenummer:
SIHG24N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21A

Drain source spænding maks. Vds

850V

Serie

E

Emballagetype

TO-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

184mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

59nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E-serien af effekt-MOSFET reducerede koblings- og ledningstab.

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (Co(er))

Relaterede links