Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2887
- Producentens varenummer:
- SiJ450DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 65,08
(ekskl. moms)
Kr. 81,35
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.995 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 13,016 | Kr. 65,08 |
| 50 - 120 | Kr. 11,698 | Kr. 58,49 |
| 125 - 245 | Kr. 9,768 | Kr. 48,84 |
| 250 - 495 | Kr. 9,096 | Kr. 45,48 |
| 500 + | Kr. 5,998 | Kr. 29,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2887
- Producentens varenummer:
- SiJ450DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 113A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 75.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 113A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 75.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 45 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 58 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 45.5 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET