Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2887
- Producentens varenummer:
- SiJ450DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 47,12
(ekskl. moms)
Kr. 58,90
(inkl. moms)
Tilføj 60 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- 5.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,424 | Kr. 47,12 |
| 50 - 120 | Kr. 8,468 | Kr. 42,34 |
| 125 - 245 | Kr. 7,076 | Kr. 35,38 |
| 250 - 495 | Kr. 6,582 | Kr. 32,91 |
| 500 + | Kr. 4,338 | Kr. 21,69 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2887
- Producentens varenummer:
- SiJ450DP-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 113A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 45V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 4 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 75.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 48W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 113A | ||
Drain source spænding maks. Vds 45V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 4 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 75.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 48W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay TrenchFET N-kanal er 45 V MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 113 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 11 A 45 V Forbedring SO-8, TrenchFET Gen IV
- Vishay Type N-Kanal 201 A 25 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 81.2 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 100 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 40 A 30 V Forbedring SO-8, TrenchFET
- Vishay Type N-Kanal 8.3 A 100 V Forbedring SO-8, TrenchFET