Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiJ450DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 47,12

(ekskl. moms)

Kr. 58,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,424Kr. 47,12
50 - 120Kr. 8,468Kr. 42,34
125 - 245Kr. 7,076Kr. 35,38
250 - 495Kr. 6,582Kr. 32,91
500 +Kr. 4,338Kr. 21,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2887
Producentens varenummer:
SiJ450DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

113A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

SO-8

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

75.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 45 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links