Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 113 A 45 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 47,12

(ekskl. moms)

Kr. 58,90

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.995 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 9,424Kr. 47,12
50 - 120Kr. 8,468Kr. 42,34
125 - 245Kr. 7,076Kr. 35,38
250 - 495Kr. 6,582Kr. 32,91
500 +Kr. 4,338Kr. 21,69

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2887
Producentens varenummer:
SiJ450DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

113A

Drain source spænding maks. Vds

45V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

1.9mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

75.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 45 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links