Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 257 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- RS-varenummer:
- 228-2941
- Producentens varenummer:
- SiZF906BDT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 92,90
(ekskl. moms)
Kr. 116,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.315 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 18,58 | Kr. 92,90 |
| 50 - 120 | Kr. 15,798 | Kr. 78,99 |
| 125 - 245 | Kr. 14,87 | Kr. 74,35 |
| 250 - 495 | Kr. 13,942 | Kr. 69,71 |
| 500 + | Kr. 13,016 | Kr. 65,08 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 228-2941
- Producentens varenummer:
- SiZF906BDT-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 257A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Emballagetype | PowerPAIR 6 x 5F | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0021Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 25nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Transistorkonfiguration | Dobbelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Antal elementer per chip | 2 | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 257A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Emballagetype PowerPAIR 6 x 5F | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0021Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 25nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Transistorkonfiguration Dobbelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Antal elementer per chip 2 | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay dobbelt N-kanal 30 V (D-S) MOSFET.
100 % Rg og UIS-testet
Relaterede links
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 257 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 258 A 30 V Forbedring PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 69.3 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 31.8 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 32.5 A 70 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 48 A 40 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3S, TrenchFET Gen IV
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 30 A 30 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3, TrenchFET
- Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt 38 A 60 V Forbedring PowerPAIR 3 x 3FDC, TrenchFET Gen IV