Vishay 2 Type N-Kanal Dobbelt, MOSFET, 257 A 30 V Forbedring, 8 Ben, PowerPAIR 6 x 5F, TrenchFET Nej SiZF906BDT-T1-GE3

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 74,80

(ekskl. moms)

Kr. 93,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 5.315 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 - 45Kr. 14,96Kr. 74,80
50 - 120Kr. 12,716Kr. 63,58
125 - 245Kr. 11,954Kr. 59,77
250 - 495Kr. 11,234Kr. 56,17
500 +Kr. 10,472Kr. 52,36

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2941
Producentens varenummer:
SiZF906BDT-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

257A

Drain source spænding maks. Vds

30V

Serie

TrenchFET

Emballagetype

PowerPAIR 6 x 5F

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

0.0021Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

25nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

83W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Transistorkonfiguration

Dobbelt

Standarder/godkendelser

RoHS

Antal elementer per chip

2

Bilindustristandarder

Nej

Vishay dobbelt N-kanal 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links