Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.68 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 1.271,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.589,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • 1.000 enhed(er) afsendes fra 29. december 2025
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 1,271Kr. 1.271,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0535
Producentens varenummer:
BSP316PH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.68A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

BSP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør denne SIPMOS, P-kanal forstærker-mode mosfet med lille signal-transistor. Enheden er dv/dt-klassificeret, P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

VdS er 100 V, RDS(on)1,8 Ω og ID er 0,68 A.

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links