MPN

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 680 mA -100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

RS-varenummer:: 250-0535
Producentens varenummer:: BSP316PH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 680 mA -100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 1.939,00

(ekskl. moms)

Kr. 2.424,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 28. december 2026

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
1000 +	Kr. 1,939	Kr. 1.939,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 250-0535
Producentens varenummer:: BSP316PH6327XTSA1
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Kanaltype	Type P
	Produkttype	MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	680mA
	Drain source spænding maks. Vds	-100V
	Emballagetype	SOT-223
	Serie	BSP
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1800mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Gennemgangsspænding Vf	1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	80nC
	Effektafsættelse maks. Pd	81W
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	+150°C
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Kanaltype Type P
	Produkttype MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 680mA
	Drain source spænding maks. Vds -100V
	Emballagetype SOT-223
	Serie BSP
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1800mΩ
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Gennemgangsspænding Vf 1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC
	Effektafsættelse maks. Pd 81W
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. +150°C
	Standarder/godkendelser RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - BSP316PH6327XTSA1

Infineon gør denne SIPMOS, P-kanal forstærker-mode mosfet med lille signal-transistor. Enheden er dv/dt-klassificeret, P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

VdS er 100 V, RDS(on)1,8 Ω og ID er 0,68 A.

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.