Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 0.68 A 100 V Forbedring, 3 Ben, SOT-223, BSP AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*

Kr. 1.271,00

(ekskl. moms)

Kr. 1.589,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
1000 +Kr. 1,271Kr. 1.271,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
250-0535
Producentens varenummer:
BSP316PH6327XTSA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

0.68A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

SOT-223

Serie

BSP

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon gør denne SIPMOS, P-kanal forstærker-mode mosfet med lille signal-transistor. Enheden er dv/dt-klassificeret, P-kanal, transistor i forstærkningstilstand, der anvendes i mange sammenhænge. Den er lavine-klassificeret og halogenfri.

VdS er 100 V, RDS(on)1,8 Ω og ID er 0,68 A.

Maks. effekttab er 360 mW

Relaterede links