Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 15.392,50

(ekskl. moms)

Kr. 19.240,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 6,157Kr. 15.392,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3868
Producentens varenummer:
IPD90P04P405ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-90A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1, RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links