Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -90 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD90P04P405ATMA2

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 33,96

(ekskl. moms)

Kr. 42,44

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 732 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 16,98Kr. 33,96
20 - 48Kr. 14,10Kr. 28,20
50 - 98Kr. 13,24Kr. 26,48
100 - 198Kr. 12,19Kr. 24,38
200 +Kr. 11,37Kr. 22,74

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3869
Producentens varenummer:
IPD90P04P405ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-90A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

118nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1, RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links