Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, HEXFET Nej IRFI530NPBF
- RS-varenummer:
- 262-6759
- Producentens varenummer:
- IRFI530NPBF
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 38,14
(ekskl. moms)
Kr. 47,68
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 190 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 3,814 | Kr. 38,14 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 262-6759
- Producentens varenummer:
- IRFI530NPBF
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.036Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.036Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon Power MOSFET benytter de nyeste behandlingsteknikker til at opnå ekstremt lav modstand pr. siliciumareal. Den har 4,8 mm vask til at lede krybende alder afstand. Den giver designeren en ekstremt effektiv og pålidelig enhed til brug i en lang række anvendelser.
Fuldt lavineret
Højspændingsisolation 2,5 KVRMS
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 12 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 92 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 24 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 150 A 30 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 26 A 200 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 49 A 55 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 36 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
- Infineon Type N-Kanal 57 A 100 V Forbedring TO-220, HEXFET Nej
