Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 3.9 A 30 V Forbedring, 6 Ben, SC-88, Si1416EDH Nej Si1416EDH-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 812-3063
- Producentens varenummer:
- Si1416EDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 35,16
(ekskl. moms)
Kr. 43,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 1.840 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 1,758 | Kr. 35,16 |
| 200 - 480 | Kr. 1,227 | Kr. 24,54 |
| 500 - 980 | Kr. 0,928 | Kr. 18,56 |
| 1000 - 1980 | Kr. 0,902 | Kr. 18,04 |
| 2000 + | Kr. 0,875 | Kr. 17,50 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 812-3063
- Producentens varenummer:
- Si1416EDH-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3.9A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 30V | |
| Serie | Si1416EDH | |
| Emballagetype | SC-88 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 6 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 77mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 7.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2.8W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 2.2mm | |
| Højde | 1mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 1.35 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3.9A | ||
Drain source spænding maks. Vds 30V | ||
Serie Si1416EDH | ||
Emballagetype SC-88 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 6 | ||
Drain source modstand maks. Rds 77mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 7.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2.8W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 2.2mm | ||
Højde 1mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 1.35 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
N-kanal MOSFET, 30 V til 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 3 6 ben, SOT-363 SI1416EDH-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 12 A 30 V SOT-363 SIA462DJ-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 6 ben, SOT-363 SI1922EDH-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 1 6 ben, SOT-363 SI1480BDH-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 4 4 6 ben, SOT-363 SIA517DJ-T1-GE3
- Vishay N/P-Kanal-Kanal 400 mA 6 ben, SOT-363 SI1553CDL-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 10 6 ben TrenchFET SIA449DJ-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 1 6 ben, SOT-363 SI1967DH-T1-GE3
