Vishay Type P-Kanal, MOSFET, 3 A 12 V Forbedring, 3 Ben, SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2315ES-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 819-3901
- Producentens varenummer:
- SQ2315ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 51,40
(ekskl. moms)
Kr. 64,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 980 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 2,57 | Kr. 51,40 |
| 200 - 480 | Kr. 2,057 | Kr. 41,14 |
| 500 - 980 | Kr. 1,668 | Kr. 33,36 |
| 1000 - 1980 | Kr. 1,287 | Kr. 25,74 |
| 2000 + | Kr. 1,148 | Kr. 22,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 819-3901
- Producentens varenummer:
- SQ2315ES-T1_GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 3A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 12V | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Emballagetype | SOT-23 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 92mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 8.4nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 2W | |
| Portkildespænding maks. | 8 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 3.04mm | |
| Bredde | 1.4 mm | |
| Højde | 1.02mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 3A | ||
Drain source spænding maks. Vds 12V | ||
Serie SQ Rugged | ||
Emballagetype SOT-23 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 92mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 8.4nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 2W | ||
Portkildespænding maks. 8 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 3.04mm | ||
Bredde 1.4 mm | ||
Højde 1.02mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
P-kanal MOSFET, SQ robust serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-transistorer, Vishay Semiconductor
Relaterede links
- Vishay P-Kanal 3 A 12 V SOT-23, SQ Rugged SQ2315ES-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 2 3 ben SQ Rugged SQ2301ES-T1-GE3
- Vishay P-Kanal 6 8 ben SQ Rugged SQ4431EY-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 17 A 40 V SOIC, SQ Rugged SQ4401EY-T1_GE3
- Vishay P-Kanal 7 6 ben SQ Rugged SQ3419EV-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 6 A 20 V SOT-23, SQ Rugged AEC-Q101 SQ2310ES-T1_BE3
- Vishay N-Kanal 12 A 60 V SOIC, SQ Rugged AEC-Q101 SQ4850EY-T1_GE3
- Vishay N-Kanal 8 A 20 V TSOP-6, SQ Rugged AEC-Q101 SQ3460EV-T1_GE3
