STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 1200 V Forbedring, 3 Ben, Hip-247 Nej SCT30N120
- RS-varenummer:
- 907-4741
- Producentens varenummer:
- SCT30N120
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 151,40
(ekskl. moms)
Kr. 189,25
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Restlager hos RS
- 10 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
- Sidste 316 enhed(er) afsendes fra 08. januar 2026
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 151,40 |
| 5 - 9 | Kr. 143,92 |
| 10 - 24 | Kr. 129,55 |
| 25 + | Kr. 128,73 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 907-4741
- Producentens varenummer:
- SCT30N120
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 100mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 105nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 270W | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 20.15mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 100mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 105nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 270W | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 20.15mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal siliciumkarbid (SiC) MOSFET, STMicroelectronics
Siliciumkarbid (SiC) MOSFET'er har meget lav statisk afledning-kilde-modstand til 1200 V mærkespænding, kombineret med fremragende skifteevne, som betyder mere effektive og kompakte systemer.
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V HiP247 SCT30N120
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V Depletion HiP247, SCT SCTWA30N120
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V HiP247-4, SCTWA40N120G2V-4 SCTWA40N120G2V-4
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 1200 V HiP247, SCT30N120H SCT30N120H
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 1200 V HiP247 SCTW60N120G2
- STMicroelectronics N-Kanal 33 A 1200 V HiP247, SCTWA40N12G24AG SCTWA40N12G24AG
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 1200 V HIP247, SCT SCT025W120G3AG
- STMicroelectronics N-Kanal 91 A 1200 V HiP247, SCTW70N SCTW70N120G2V
