Vishay Siliconix N-Kanal, MOSFET, 24.5 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8L, SQJ872EP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3903
- Producentens varenummer:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,17
(ekskl. moms)
Kr. 107,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 2.920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,617 | Kr. 86,17 |
| 100 - 490 | Kr. 7,315 | Kr. 73,15 |
| 500 - 990 | Kr. 6,463 | Kr. 64,63 |
| 1000 + | Kr. 5,603 | Kr. 56,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3903
- Producentens varenummer:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Serie | SQJ872EP | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0395Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 55W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bredde | 5mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Serie SQJ872EP | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0395Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 55W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 1.07mm | ||
Bredde 5mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay SQJ872EP seriens MOSFET, 150 V drain source-spænding, 24,5 A kontinuerlig drain-strøm - SQJ872EP-T1_GE3
Egenskaber og fordele:
• Højspændingsevne 150 V, der muliggør robust koblingsbredde
• Kontinuerlig mærkestrøm på 24,5 A understøtter betydelige belastningsstrømme
• Gate-opladning 14 nC muliggør effektiv omskiftningskontrol
• Effekttab på 55 W muliggør vedvarende termisk belastningshåndtering
• Bred porttolerance på ±20 V, hvilket gør portdrevdesignet fleksibelt
Anvendelser
• Ideel til industrielle motordrevkontakter
• Anvendes sammen med DC-DC-omformere i højspændingssystemer
• Kan bruges til synkron ensretning i strømforsyninger
• Nyttig i inverter- og UPS-front-end-switching-trin
Hvilket temperaturområde kan den tåle i barske installationer?
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den til kortmontering?
Hvordan påvirker den fremadgående spænding systemdesign?
Er enheden velegnet til regulerede produktions- og miljøkrav?
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8L, SQJ872EP AEC-Q101
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 166 A 60 V Forbedring SO-8L, SQJ162EP AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 243 A 30 V Forbedring PowerPAK SO-8L AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay N-Kanal 66 A 80 V Forbedring PowerPAK SO-8L, SQJ AEC-Q101
