Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 24.5 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8, TrenchFET AEC-Q101 SQJ872EP-T1_GE3
- RS-varenummer:
- 178-3903
- Producentens varenummer:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 69,18
(ekskl. moms)
Kr. 86,48
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Manglende forsyning
- 2.920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Vores nuværende beholdning er begrænset, og vores leverandører forventer mangel på det.
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 + | Kr. 6,918 | Kr. 69,18 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3903
- Producentens varenummer:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Emballagetype | SO-8 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 80mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 55W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 5.99mm | |
| Bredde | 5 mm | |
| Højde | 1.07mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Serie TrenchFET | ||
Emballagetype SO-8 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 80mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 55W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 5.99mm | ||
Bredde 5 mm | ||
Højde 1.07mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
TrenchFET® power MOSFET
Relaterede links
- Vishay Siliconix N-Kanal 24 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ872EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 9 4 ben TrenchFET AEC-Q101 SQJ431AEP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 30 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ415EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix P-Kanal 16 A 80 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJ481EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 75 A 40 V PowerPAK SO-8L, TrenchFET AEC-Q101 SQJA76EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N/P-Kanal-Kanal 30 A 40 V PowerPak SO-8L dobbelt, TrenchFET AEC-Q101 SQJ504EP-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 6 A 40 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET AEC-Q101 SQS944ENW-T1_GE3
- Vishay Siliconix N-Kanal 6 A 60 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET AEC-Q101 SQS966ENW-T1_GE3
