Vishay Siliconix Type N-Kanal, MOSFET, 24.5 A 150 V Forbedring, 8 Ben, SO-8L, SQJ872EP AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 178-3903
- Producentens varenummer:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 86,17
(ekskl. moms)
Kr. 107,71
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
- 2.920 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 8,617 | Kr. 86,17 |
| 100 - 490 | Kr. 7,315 | Kr. 73,15 |
| 500 - 990 | Kr. 6,463 | Kr. 64,63 |
| 1000 + | Kr. 5,603 | Kr. 56,03 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 178-3903
- Producentens varenummer:
- SQJ872EP-T1_GE3
- Brand:
- Vishay Siliconix
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay Siliconix | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 24.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 150V | |
| Emballagetype | SO-8L | |
| Serie | SQJ872EP | |
| Monteringstype | Printmontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.0395Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 55W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 1.07mm | |
| Længde | 5.99mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 5mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay Siliconix | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 24.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 150V | ||
Emballagetype SO-8L | ||
Serie SQJ872EP | ||
Monteringstype Printmontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.0395Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 55W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 1.07mm | ||
Længde 5.99mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 5mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
RoHS Status: Undtaget
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay Siliconix SQJ872EP seriens MOSFET, 150 V drain source spænding, 24,5 A maksimal kontinuerlig drain strøm - SQJ872EP-T1_GE3
Egenskaber og fordele:
• 24,5 A kontinuerlig drænstrøm understøtter drift med kraftig belastning
• 0,0395 Ω Rds(on) reducerer ledningstab for forbedret effektivitet
• 14 nC typisk gate-ladning sikrer reaktiv skifteadfærd
• 55 W effekttab muliggør vedvarende termisk belastning
• 20 V porttolerance muliggør fleksible portdrevspændinger
Anvendelser
• Ideel til DC-DC-konvertere i industrielle automationssystemer
• Anvendes til motordrevstrin i elektrisk og mekanisk udstyr
• Kan bruges til omskiftning af strømforsyning i telematik og styreenheder
Hvilken monteringsmetode skal bruges til pålidelig montering?
Hvordan fungerer enheden under brede ekstreme temperaturer?
Hvilke egenskaber påvirker koblingstabene mest direkte?
Hvor mange ben er tilgængelige til kredsløbstilslutninger?
Relaterede links
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 24.5 A 150 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 16 A 80 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type N-Kanal 75 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 9.4 A 200 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix Type P-Kanal 30 A 40 V Forbedring SO-8, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N MOSFET 8 Ben TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 40 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
- Vishay Siliconix 2 Type N-Kanal Dobbelt 6 A 60 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET AEC-Q101
