Vishay Type P-Kanal Enkelt, MOSFET, 18 A 20 V, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SIS407ADN-T1-GE3
- RS-varenummer:
- 180-7892
- Producentens varenummer:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 85,28
(ekskl. moms)
Kr. 106,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 11. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | Kr. 4,264 | Kr. 85,28 |
| 200 - 480 | Kr. 4,178 | Kr. 83,56 |
| 500 - 980 | Kr. 3,28 | Kr. 65,60 |
| 1000 - 1980 | Kr. 2,644 | Kr. 52,88 |
| 2000 + | Kr. 2,405 | Kr. 48,10 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 180-7892
- Producentens varenummer:
- SIS407ADN-T1-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 18A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 20V | |
| Emballagetype | PowerPAK 1212-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.009Ω | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 63nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±8 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 39.1W | |
| Transistorkonfiguration | Enkelt | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 3.61mm | |
| Højde | 0.79mm | |
| Bredde | 3.61 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 18A | ||
Drain source spænding maks. Vds 20V | ||
Emballagetype PowerPAK 1212-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.009Ω | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 63nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±8 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 39.1W | ||
Transistorkonfiguration Enkelt | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 3.61mm | ||
Højde 0.79mm | ||
Bredde 3.61 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET er en P-kanal, PowerPAK-1212-8 hus er et nyt produkt med en drænkildespænding på 20 V og en maksimal gate-source spænding på 8 V. Den har en drænkildemodstand på 9 Mohm ved en gate-source spænding på 4,5 V. Den har et maksimalt effekttab på 39,1 W. Dette produkt er optimeret til lavere skift og ledningstab. MOSFET'en giver fremragende effektivitet sammen med en lang og produktiv levetid uden at gå på kompromis med ydeevne eller funktionalitet.
Egenskaber og fordele
• Halogenfri
• blyfri (Pb) komponent
• PowerPAK hus med lav termisk modstand
Driftstemperaturområde mellem -55 150 C og • C.
• TrenchFET Power MOSFET
Anvendelsesområder
• adapterkontakter
• Batteristyring
• Belastningskontakter
Relaterede links
- Vishay Type P-Kanal Enkelt 18 A 20 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej
- Vishay N-Kanal 24 8 ben TrenchFET SiS890ADN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 3.8 A 200 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SI7119DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 18 A 30 V PowerPAK 1212-8, TrenchFET Nej SIS413DN-T1-GE3
- Vishay N-Kanal 67 8 ben TrenchFET SiSH536DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 27 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISS23DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 23 A 30 V Forbedring PowerPAK 1212, TrenchFET Nej SISS27DN-T1-GE3
- Vishay Type P-Kanal 35 A 20 V Forbedring PowerPAK 1212-8, TrenchFET Gen III Nej SIS415DNT-T1-GE3