STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V, 7 ben, H2PAK-7, SCTH35 SCTH35N65G2V-7

Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
RS-varenummer:
201-0890
Producentens varenummer:
SCTH35N65G2V-7
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks.

45 A

Drain source spænding maks.

650 V

Serie

SCTH35

Kapslingstype

H2PAK-7

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks.

0,055 Ω

Kanalform

Enhancement

Maks. tærskelspænding for port

3.2V

Antal elementer per chip

1

Transistormateriale

SiC

STMicroelectronics 650 V siliciumkarbid power MOSFET har en mærkestrøm på 45 A og drain til kildemodstand 55 m Ohm. Den har lav modstand ved tænding pr. enhedsområde og meget god skifteevne. Variationen i skiftetab er næsten uafhængig af samledstemperatur.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet

Relaterede links