Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 201 A 25 V Forbedring, 4 Ben, SO-8, TrenchFET Nej SiJA22DP-T1-GE3

Se alle MOSFET
Kan ikke leveres i øjeblikket
Vi ved ikke, om dette produkt kommer på lager igen. RS har planer om at tage det ud af sortimentet inden længe.
Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
228-2890
Producentens varenummer:
SiJA22DP-T1-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

201A

Drain source spænding maks. Vds

25V

Emballagetype

SO-8

Serie

TrenchFET

Monteringstype

Overflade

Benantal

4

Drain source modstand maks. Rds

0.74mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

83nC

Effektafsættelse maks. Pd

48W

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

Vishay TrenchFET N-kanal er 25 V MOSFET.

100 % Rg og UIS-testet

Relaterede links