Toshiba

Diskrete halvledere

Kategorier

Viser 21 - 40 af 262 produkter
Sammenlign valgte 0/8
Vis som:
Pris
(Viste pris er ekskl. moms)
Beskrivelse
Produktdata
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 30 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S
  • kr 1,78
    (Leveres i pakke af 20)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 30 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN11003NL,LQ(S
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.31 A
  • Drain source spænding maks.30 V
  • KapslingstypeTSON
  • SerieU-MOSVIII-H
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba CMS06(TE12L,Q,M) Diode, 30V, 2A, 2-Pin M-FLAT 370mV
  • kr 0,414
    (Leveres i pakke af 25)
Toshiba CMS06(TE12L,Q,M) Diode, 30V, 2A, 2-Pin M-FLAT 370mV
  • MonteringstypeOverflademontering
  • KapslingstypeM-FLAT
  • Gennemgangsstrøm kontinuerlig maks.2A
  • Periodisk spidsspænding i spærreretning30V
  • Diode-konfigurationEnkelt
Se lignende produkter i Schottky-dioder og ensrettere
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9,7 A 600 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK10A60W5,S5VX(M
  • kr 8,288
    (Leveres i pakke af 5)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9,7 A 600 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK10A60W5,S5VX(M
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.9,7 A
  • Drain source spænding maks.600 V
  • KapslingstypeTO-220SIS
  • SerieTK
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba CRS10I30A(TE85L,QM Diode, 30V Schottky barriere, 1A, 2-Pin S-FLAT 390mV
  • kr 1,744
    (Leveres i pakke af 50)
Toshiba CRS10I30A(TE85L,QM Diode, 30V Schottky barriere, 1A, 2-Pin S-FLAT 390mV
  • MonteringstypeOverflademontering
  • KapslingstypeS-FLAT
  • Gennemgangsstrøm kontinuerlig maks.1A
  • Periodisk spidsspænding i spærreretning30V
  • Diode-konfigurationEnkelt
Se lignende produkter i Schottky-dioder og ensrettere
2SC4117-GR(TE85L,F, Transistor, NPN 100 mA 120 V, 3 ben, SOT-323 (SC-70) Enkelt
  • kr 2,046
    (Leveres i pakke af 25)
2SC4117-GR(TE85L,F, Transistor, NPN 100 mA 120 V, 3 ben, SOT-323 (SC-70) Enkelt
  • TransistortypeNPN
  • Kollektorstrøm DC maks.100 mA
  • Kollektor emitter spænding maks.120 V
  • KapslingstypeSOT-323 (SC-70)
  • MonteringstypeOverflademontering
Se lignende produkter i Bipolære transistorer
Toshiba CRG02(TE85L,Q,M) Diode, 400V Silicon Junction, 700mA, 2-Pin S-FLAT 1.1V
  • kr 0,733
    (Leveres i pakke af 50)
Toshiba CRG02(TE85L,Q,M) Diode, 400V Silicon Junction, 700mA, 2-Pin S-FLAT 1.1V
  • MonteringstypeOverflademontering
  • KapslingstypeS-FLAT
  • Gennemgangsstrøm kontinuerlig maks.700mA
  • Periodisk spidsspænding i spærreretning400V
  • Diode-konfigurationEnkelt
Se lignende produkter i Schottky-dioder og ensrettere
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 263 A 60 V, 3 ben, TO-220, U-MOSVIII-H TK100E06N1,S1X(S
  • kr 14,512
    (Leveres i pakke af 5)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 263 A 60 V, 3 ben, TO-220, U-MOSVIII-H TK100E06N1,S1X(S
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.263 A
  • Drain source spænding maks.60 V
  • SerieU-MOSVIII-H
  • KapslingstypeTO-220
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 21 A 100 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN3300ANH,LQ(S
  • kr 1,035
    (Leveres i pakke af 20)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 21 A 100 V, 8 ben, TSON, U-MOSVIII-H TPN3300ANH,LQ(S
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.21 A
  • Drain source spænding maks.100 V
  • KapslingstypeTSON
  • SerieU-MOSVIII-H
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 92 A 40 V, 8 ben, TSON TPN3R704PL
  • kr 7,764
    (Leveres i pakke af 5)
  • kan også leveres i produktions forpakning
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 92 A 40 V, 8 ben, TSON TPN3R704PL
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.92 A
  • Drain source spænding maks.40 V
  • KapslingstypeTSON
  • MonteringstypeOverflademontering
Se lignende produkter i MOSFET
2SC4118-Y(TE85L,F), Bipolær transistor, NPN 500 mA 30 V, 3 ben, SC-70 Enkelt
  • kr 7,45
    (Leveres i pakke af 25)
  • kan også leveres i produktions forpakning
2SC4118-Y(TE85L,F), Bipolær transistor, NPN 500 mA 30 V, 3 ben, SC-70 Enkelt
  • TransistortypeNPN
  • Kollektorstrøm DC maks.500 mA
  • Kollektor emitter spænding maks.30 V
  • KapslingstypeSC-70
  • MonteringstypeOverflademontering
Se lignende produkter i Bipolære transistorer
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 11,1 A 650 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK11A65W,S5X(M
  • kr 9,186
    (Leveres i pakke af 5)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 11,1 A 650 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK11A65W,S5X(M
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.11,1 A
  • Drain source spænding maks.650 V
  • SerieTK
  • KapslingstypeTO-220SIS
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK31A60W,S4VX(M
  • kr 22,515
    (Leveres i pakke af 2)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 ben, TO-220SIS, TK TK31A60W,S4VX(M
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.31 A
  • Drain source spænding maks.600 V
  • SerieTK
  • KapslingstypeTO-220SIS
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba CUS01(TE85L,Q,M) Diode, 30V Schottky barriere, 1A, 2-Pin US-FLAT 390mV
  • kr 0,733
    (Leveres i pakke af 50)
Toshiba CUS01(TE85L,Q,M) Diode, 30V Schottky barriere, 1A, 2-Pin US-FLAT 390mV
  • MonteringstypeOverflademontering
  • KapslingstypeUS-FLAT
  • Gennemgangsstrøm kontinuerlig maks.1A
  • Periodisk spidsspænding i spærreretning30V
  • Diode-konfigurationEnkelt
Se lignende produkter i Schottky-dioder og ensrettere
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V, 3 ben, TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)
  • kr 21,355
    (Leveres i pakke af 2)
  • kan også leveres i produktions forpakning
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 9 A 900 V, 3 ben, TO-3PN, 2SK 2SK3878(F)
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.9 A
  • Drain source spænding maks.900 V
  • KapslingstypeTO-3PN
  • Serie2SK
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 ben, TO-220, TK TK31E60W,S1VX(S
  • kr 22,14
    (Leveres i pakke af 2)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 ben, TO-220, TK TK31E60W,S1VX(S
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.31 A
  • Drain source spænding maks.600 V
  • KapslingstypeTO-220
  • SerieTK
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 ben, SOT-363 AEC-Q101 SSM6N7002KFU
  • kr 0,302
    Pr. stk. (på Rulle á 3000)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 300 mA 60 V, 6 ben, SOT-363 AEC-Q101 SSM6N7002KFU
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.300 mA
  • Drain source spænding maks.60 V
  • KapslingstypeSOT-363
  • MonteringstypeOverflademontering
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V, 3 ben, TO-220SIS, TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S
  • kr 56,285
    (Leveres i pakke af 2)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 30 A 650 V, 3 ben, TO-220SIS, TK090A65Z TK090A65Z,S4X(S
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.30 A
  • Drain source spænding maks.650 V
  • SerieTK090A65Z
  • KapslingstypeTO-220SIS
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 3 A 900 V, 3 ben, SC-67, 2SK 2SK3564,S5Q(J
  • kr 8,588
    (Leveres i pakke af 5)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 3 A 900 V, 3 ben, SC-67, 2SK 2SK3564,S5Q(J
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.3 A
  • Drain source spænding maks.900 V
  • KapslingstypeSC-67
  • Serie2SK
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 7,5 A 250 V, 3 ben, DPAK (TO-252) TK8P25DA,RQ(S
  • kr 2,074
    (Leveres i pakke af 25)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 7,5 A 250 V, 3 ben, DPAK (TO-252) TK8P25DA,RQ(S
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.7,5 A
  • Drain source spænding maks.250 V
  • KapslingstypeDPAK (TO-252)
  • MonteringstypeOverflademontering
Se lignende produkter i MOSFET
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 ben, TO-3PN, TK TK31J60W5,S1VQ(O
  • kr 20,72(Leveres Pr. stk.)
Toshiba N-Kanal, MOSFET, 31 A 600 V, 3 ben, TO-3PN, TK TK31J60W5,S1VQ(O
  • KanaltypeN
  • Drain-strøm kontinuerlig maks.31 A
  • Drain source spænding maks.600 V
  • KapslingstypeTO-3PN
  • SerieTK
Se lignende produkter i MOSFET
Sidst søgte
Ofte stillede spørgsmål
Har du brug for hjælp?
Kontakt vores kundeservice på:
3816 9900
Services
Om RS
Populære emner
kunde@rsonline.dk
38 16 99 00
RS Components A/S
Nattergalevej 6 2400 København NV
Payment options